散熱問題只是表象,，Soc工藝瓶頸才是關(guān)鍵。近年的移動設(shè)備速度越來越快,，至少在跑分上是節(jié)節(jié)攀升,。但用戶感知度卻不高，這其中的問題其實(shí)有多方面原因,，最終都要落在Soc的工藝上,。高通最新一代的888處理器就有著嚴(yán)重的發(fā)熱問題。

發(fā)熱的根源是較低的功耗比,，為了提高性能最直接的辦法就是堆晶體管數(shù)量,，或者更宏觀的架構(gòu)層面堆核心，雖然理論上性能得到提升,，但是制作工藝不升級的情況下光堆晶體管只會增加功耗,，隨之而來的就是大量的發(fā)熱和能量損耗。

緊接著,，大量的功耗有兩個(gè)顯著的影響去,。其一是電池容量卻再也不夠了。你會發(fā)現(xiàn)每一代手機(jī)升級電池都會做大,，但實(shí)際續(xù)航一般都是一天,，背后的緣由一方面就是Soc功耗大，當(dāng)然屏幕尺寸等也會影響續(xù)航,。

其二,，發(fā)熱大，不散熱的情況下Soc的效能會受到影響,，只能降頻運(yùn)行,，也就是遇到了我們常說的功耗墻，所謂提升的性能化為烏有,。而便攜設(shè)備,，在硬件設(shè)計(jì)上往往操作空間不大，很難為其設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)勤,，而且在手機(jī)上往往是被動散熱,，不像大型設(shè)備可以肆無忌憚使用風(fēng)冷甚至水冷，以保持器核心的長時(shí)間高效能運(yùn)行,。

不過,，隨著代工廠的技術(shù)突破，2nm已經(jīng)開始試產(chǎn),。蘋果的M系芯片直接把英特爾14nm++++工藝按在地上,，其實(shí)我們也能看到。想要突破瓶頸，可能要從更底層的技術(shù)上下手,，制作工藝之外,，指令集設(shè)計(jì)，Soc架構(gòu)等,，都是亟待開發(fā)的突破點(diǎn),。